パッケージングウェハ
シリコンウェハに合わせたウェハレベルパッケージ(WLP)が可能なガラス基板を設計。
ユーザーの仕様に合わせた多種多様な形状を高精度・低コストで実現可能。
パッケージングウェハの使用用途例
圧力センサでの貫通穴付きガラス台座として
(Anodic junction with silicon)
シリコンチップのキャビティ付きガラス台座として
(Cavity in a silicon chip)
積層構造可能な3Dパッケージングガラス基板として
(Structurable 3D packaging)
パッケージングウェハ形状スペック
:: 形状スペック ::
| A(穴径) | φ200μm～(±50μm) |
| B(穴テーパ) | 2°～ |
| C(穴間ピッチ) | 500μm～(±50μm) |
| D(キャビティ径) | φ250μm～ |
| E(キャビティ深さ) | 350μm～ |
| F(キャビティテーパ) | 20°～ |
| 適用ガラス材質 | ホウケイ酸ガラス(BORO FLOAT33(テンパックス)), ソーダライムガラス・光学ガラス(D263等) |
SEMI規格に準拠した厳格な製品品質を保証します。その他オプションからお客様のご要望にも幅広く対応します。
| スペック | 4inch | 5inch | 6inch | 8inch | 12inch |
| 直径 | 100±0.20mm | 125±0.20mm | 150±0.20mm | 100±0.20mm | 100±0.20mm |
| エッジ形状 | C0.1 (+0.1mm/-0.05mm) | ||||
| 厚み | ユーザー仕様に準ずる | ||||
| Total Thickness Variation(TTV) |
< 10μm | ||||
| 歪 | < 40μm | < 40μm | < 60μm | < 65μm | unspecified |
| 反り | < 40μm | < 40μm | < 60μm | < 75μm | < 100μm |
| 表面状態 | 光学研磨 | ||||
| ノッチ形状 | 可能 | ||||
| その他 | ウェハ外周へのオリエンテーションフラット形状 ウェハ表面へのレーザー刻印 |
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